비아 충진 솔루션

비아 충진 기판

당사의 고전도성 비수축 비아 충진 공정을 적용하여 다양한 구조의 비아에 구리 페이스트 또는 은 페이스트를 균일하게 충진할 수 있습니다.
이 기술은 통신용 세라믹 패키지 분야에서 폭넓게 채택되어 왔으며, 높은 신뢰성과 안정적인 품질로 우수한 평가를 받고 있습니다.
당사는 비아 충진이 완료된 반제품 기판 형태로 제품을 공급하며, 비아 가공, 비아 충진 및 연마 공정을 포함한 종합 서비스를 제공합니다.
원스톱 공정 솔루션을 통해 공정 관리의 복잡성을 줄이고 일관된 제품 품질 확보에 기여합니다.

카탈로그 (영문)

이 제품에 대한 문의

제품 상세 정보

특징

고신뢰성·고성능 비아 충진 구조
보이드(Void) 및 틈새가 적은 균일한 비아 충진을 통해 기판과의 우수한 접착력을 확보할 수 있습니다. 또한 높은 전기적·기계적 신뢰성을 제공하며, 고밀도 배선 및 우수한 방열 성능이 요구되는 용도에 적합합니다.

우수한 실장성을 위한 평탄한 기판 표면
기판 표면을 높은 수준의 평탄도로 마감할 수 있어 충진된 비아 상부에도 부품 실장이 가능합니다. 이를 통해 설계 자유도를 향상시키고 기판 공간을 보다 효율적으로 활용할 수 있습니다.

환경 규제 대응
RoHS 2 지침에 대응하는 제품으로, 환경 부담 저감에 기여하며 안심하고 사용할 수 있습니다.

사양

* 표에 표시된 값은 기판 양면의 합계값입니다.

항목		세라믹 기판	세라믹 기판	세라믹 기판	유리 기판	유리 기판	유기 기판
기판	기판 재질	AlN, Al₂O₃, SiN			Quartz glass, Alkali-free glass		Glass epoxy
기판	크기, 두께	2×2～4.5×4.5 inch, 0.2～1.0 mm			2×2～4.5×4.5 inch, 0.2～1.0 mm		2×2～4.5×4.5 inch, 0.2～1.0 mm
비아	충진 금속	Ag	Cu	Ag-Cu alloy	Ag	Cu	Ag
	비아 직경	Φ0.05～1.0 mm	Φ0.05～2.0 mm	Φ0.05～1.0 mm	Φ0.05～0.5 mm	Φ0.05～0.5 mm	Φ0.05～0.5 mm
	소성 온도	～900 ℃	～900 ℃	～900 ℃	500～600 ℃	400～800 ℃	200～300 ℃
	소성 분위기	Air	N₂	N₂	Air	N₂	Air
	비저항 t	3～4 µΩ・cm	5～7 µΩ・cm	10 µΩ・cm	2～4 µΩ・cm	3～6 µΩ・cm	5～8 µΩ・cm
	종횡비	1.0～10.0	1.0～10.0	1.0～10.0	1.0～10.0	1.0～10.0	1.0～10.0
비연마	충진부 평탄도	＜±30 µm	＜±30 µm	-	＜±20 µm	＜±20 µm	＜±20 µm
LAP 연마	권장 연마 여유량*	＞0.15 mm	＞0.15 mm	＞0.15 mm	＞0.15 mm	＞0.15 mm	＞0.15 mm
LAP 연마	충진부 평탄도	＜±3 µm	＜±3 µm	＜±3 µm	＜±3 µm	＜±3 µm	＜±3 µm
POL 연마	권장 연마 여유량*	＞0.15 mm	＞0.15 mm	＞0.15 mm	＞0.15 mm	＞0.15 mm	＞0.15 mm
POL 연마	충진부 평탄도	＜±2 µm	＜±2 µm	＜±2 µm	-	--
비아 단면
비아 표면